onsemi MSD601-RT1G
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6
2
Mount
-
-
Case/Package
SC
TO-236-3
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
50 V
50 V
Max Collector Current
100 mA
100 mA
Transition Frequency
-
150 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
500 mV
500 mV
hFE Min
210
210
Power Dissipation
200 mW
200 mW
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1996-08-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Descrições
Descrições de onsemi MSD601-RT1G fornecidas pelos seus distribuidores.
MSD Series 50 V 100 mA NPN Silicon General Purpose Amplifier Transistor - SC-59
50V 200mW 100mA 210@2mA10V 500mV@100mA10mA NPN +150¡Í@(Tj) SC-59 Bipolar Transistors - BJT ROHS
500mV@ 10mA,100mA NPN 200mW 7V 100nA 60V 50V 100mA SC-59 SMD mount 2.9mm*1.5mm*1.09mm
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT;
Trans Bjt Single, Npn, 50V, 100Ma; |Onsemi MSD601-RT1G
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSC
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Current Rating100 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)7 V
hFE Min210
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation200 mW
Schedule B8541210080
Voltage Rating (DC)50 V
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade