onsemi MPS6601G
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Stock
142,125
275,916
Authorized Distributors
1
1
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-92-3
TO-92-3
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
25 V
25 V
Max Collector Current
1 A
1 A
Transition Frequency
100 MHz
100 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
600 mV
600 mV
hFE Min
30
30
Power Dissipation
625 mW
625 mW
Cadeia de suprimentos
Country of OriginThailand
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1994-10-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2007-07-02
LTD Date2008-01-02
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Peças relacionadas
onsemiKSD471AGTA
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
Descrições
Descrições de onsemi MPS6601G fornecidas pelos seus distribuidores.
Bulk Through Hole NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 50 @ 500mA 1V 100nA 625mW 100MHz
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
MPS6601G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS;
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-92-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)25 V
Collector Emitter Breakdown Voltage25 V
Collector Emitter Saturation Voltage600 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)25 V
Current Rating1 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)4 V
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min30
Max Collector Current1 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation625 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityNPN
Power Dissipation625 mW
Transition Frequency100 MHz
Voltage Rating (DC)25 V
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
RoHSCompliant
Declarações de conformidade