onsemi MOCD223M
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.40.80.00
Introduction Date2002-04-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descrições
Descrições de onsemi MOCD223M fornecidas pelos seus distribuidores.
Optocoupler DC Input 2 Channel DARL DC Output 8-Pin SOIC N Bulk
Optocoupler DC-IN 2-CH Darlington DC-OUT 8-Pin SOIC N Box
Avnet Japan
SOIC8 SMT Dual Channel 30 V 2500 Vrms Phototransistor Optocoupler
Optocoupler, Phototransistor, 2500Vrms; No. Of Channels:2 Channel; Optocoupler Case Style:soic; No. Of Pins:8Pins; Forward Current If Max:60Ma; Isolation Voltage:2.5Kv; Ctr Min:500%; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:30V Rohs Compliant: Yes
The MOCD223M consists of a gallium arsenide infrared emitting diode optically coupled to a monolithic siliconphotodarlington detector, in a surface mountable, small outline, plastic package. The MOCD223M is a dual-channel version of the MOC223M. They are ideallysuited for high density applications, and eliminates the need for through the board mounting.
OPTOCOUPLER, SMD DUAL; No. of Channels:2; Isolation Voltage:2.5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Input Current:1mA; Output Voltage:30V; Opto Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Transfer Ratio Min:500%; External Depth:5.84mm; External Length / Height:3.18mm; External Width:6.1mm; Fall Time tf:95µs; Forward Current If(AV):1mA; Output Type:Phototransistor; Rise Time:3.5µs; Test Voltage:3000V
Collector-Emitter Voltage (VCEO) Max. V = 30 / Power Dissipation (Pd) mW = 240 / Reverse Voltage (Vr) V = 6 / Package Type = SOIC-8 / Collector-Emitter Saturation Voltage Max. V = 1 / Emitter−Collector Voltage (VECO) Max. V = 7 / Forward Voltage (Vf) Max. V = 1.3 / Output Type = Photodarlington / Isolation Voltage kV = 2.5 / Forward Current (If) Max. mA = 60 / Current Transfer Ratio (CTR) Min. % = 500 / Operating Temperature Max. °C = 100 / Operating Temperature Min. °C = -40 / Channels = 2
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Weight252 mg
Technical
Ambient Temperature Range High100 °C
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Saturation Voltage1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Current Transfer Ratio500 %
Dark Current50 nA
Fall Time110 µs
Forward Current60 mA
Forward Voltage1.3 V
Input Current1 mA
Isolation Voltage2500 Vrms
Max Collector Current150 mA
Max Input Current60 mA
Max Junction Temperature (Tj)125 °C
Max Operating Temperature100 °C
Max Output Voltage30 V
Max Power Dissipation150 mW
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Channels2
Number of Circuits2
Number of Elements2
Output Current per Channel150 mA
Output Voltage30 V
PackagingBox
Power Dissipation240 mW
Reverse Breakdown Voltage6 V
Reverse Voltage6 V
Reverse Voltage (DC)6 V
Rise Time3.5 µs
Schedule B8541408000
Test Voltage3 kV
Turn-Off Delay Time55 µs
Turn-On Delay Time10 µs
Dimensions
Height3.63 mm
Width6.1 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade