onsemi MOC8204M
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
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 SnapEDA | Pegada | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.40.80.00
Introduction Date2005-09-27
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descrições
Descrições de onsemi MOC8204M fornecidas pelos seus distribuidores.
Optocoupler DC-IN 1-CH Transistor With Base DC-OUT 6-Pin PDIP White Bulk
Avnet Japan
6-pin DIP High Voltage Phototransistor Output Optocoupler
400V 4170V 100mA 0.1V@0.5mA,10mA 1 6V 1.15V DC DIP-6 Optocouplers - Phototransistor Output ROHS
MOC8204 Series 80 V 4170 Vrms Through Hole Phototransistor Optocoupler - DIP-6
OPTOCOUPLER, TRANSISTOR, 4.17KV, DIP-6; No. of Channels: 1 Channel; Optocoupler Case Style: DIP; No. of Pins: 6Pins; Forward Current If Max: 80mA; Isolation Voltage: 4.17kV; CTR Min: 20%; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 400
The 4N38M, H11D1M, H11D3M, and MOC8204M are phototransistor-type optically coupled optoisolators. A gallium arsenide infrared emitting diode is coupled with a high voltage NPN silicon phototransistor. The device is supplied in a standard plastic six-pin dual-in-line package.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDIP
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins6
Weight855 mg
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage400 V
Collector Emitter Saturation Voltage400 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)400 mV
Current Transfer Ratio2 %
Dark Current100 nA
Fall Time5 µs
Forward Current80 mA
Forward Voltage1.5 V
Isolation Voltage7500 Vrms
Max Collector Current100 mA
Max Input Current80 mA
Max Operating Temperature100 °C
Max Output Voltage400 V
Max Power Dissipation260 mW
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Output Current per Channel100 mA
Power Dissipation300 mW
Reverse Breakdown Voltage6 V
Reverse Voltage (DC)6 V
Rise Time5 µs
Schedule B8541408000
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade