onsemi MMUN2215LT1G
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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW
Descrições
Descrições de onsemi MMUN2215LT1G fornecidas pelos seus distribuidores.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
MMUN Series 50 V 100 mA 10 kOhm NPN Silicon Bias Resistor Transistor - SOT-23
MMUN2215LT1G NPN DIGITAL TRANSISTOR,100MA 50V 10 KOHM, RATIO OF NONE,3-PIN SOT-23
NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
NPN - Pre-Biased 400mW 100mA 50V SOT-23 Digital Transistors ROHS
onsemi NPNdigital transistor, SOT-23encapsulation, SMD mount, Maximum DC collector current100 mA, maximum collector-emission voltage50 V
This new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device. The use of a BRT can reduce both system cost and board space. The device is housed in the SOT-23 package which is designed for low power surface mount applications.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23-3
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.437803 g
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage250 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Continuous Collector Current100 mA
Current Rating100 mA
Element ConfigurationSingle
hFE Min160
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Output Current100 mA
Max Power Dissipation200 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Operating Supply Voltage50 V
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation246 mW
Schedule B8541210080
Voltage Rating (DC)50 V
Dimensions
Height940 µm
Length2.9 mm
Width1.3 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Declarações de conformidade