onsemi MMBTH10M3T5G
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-01-26
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 week ago)
LTB Date2025-10-08
LTD Date2026-04-08
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
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Bipolar Transistors (BJT); BC846BM3T5G; ON SEMICONDUCTOR; NPN; 3; 65 V; 100 mA
onsemiBC847BM3T5G
NPN Transistor 600mV@5mA, 100mA 600mW 6V 15nA 50V 45V 100mA SOT-723 SMD 1.2mm × 800μm × 500μm
onsemiMMBT2222AM3T5G
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 40 V, 600 mA, 265 mW, SOT-723, Surface Mount
Descrições
Descrições de onsemi MMBTH10M3T5G fornecidas pelos seus distribuidores.
ON SEMI MMBTH10M3T5G NPN RF BIPOLAR TRANSISTOR, 0.004 A, 25 V, 3-PIN SOT-723
NPN Bipolar Transistor hFE = 60; fT = 650 MHz. ONSSPCTRNSTJF1A7U;
NPN 640mW 3V 30V 25V SOT-723 SMD mount 1.2mm*800μm*500μm
Trans Rf Bip, Npn, 25V, 650Mhz; |Onsemi MMBTH10M3T5G
RF Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, NPN
Trans RF BJT NPN 25V 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT;
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-723-3
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)30 V
Collector Emitter Breakdown Voltage25 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)25 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)3 V
Gain Bandwidth Product650 MHz
hFE Min60
Max Collector Current4 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation640 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation640 mW
Transition Frequency650 MHz
Dimensions
Height550 µm
Length1.25 mm
Width850 µm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Declarações de conformidade