onsemi MMBFJ309LT1G
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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | MMBFJ309LT1G | 30.000 | 9K | 3d | ||||||||
| Newark | MMBFJ309LT1G | 35.565 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | MMBFJ309LT1G | 36.000 | 3K | |||||||||
| Master Electronics | MMBFJ309LT1G | 36.000 | 3K | |||||||||
| Onlinecomponents.com | MMBFJ309LT1G | 36.000 | 3K | Bulk |
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 EE Concierge | SímboloPegada | ||
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Peças relacionadas
onsemiMMBF5484LT1G
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel SINGLE JFET Transistor 1mA @ 15V 225mW 16dB 25V
NXP SemiconductorsPMBFJ309,215
PMBFJ309 Series 25 Vds 50 mA N-Ch silicon field-effect Transistors - SOT-23
NXP SemiconductorsBF861A,215
BF861A Series 25 V 6.5 mA 250 mW Surface Mount N-Channel Junction FETs-SOT-23-3
Descrições
Descrições de onsemi MMBFJ309LT1G fornecidas pelos seus distribuidores.
Transistor; JFET - VHF/UHF Amplifier; 25 VDC; 10 mADC; SOT-23 (TO-236); Pb-Free
ON SEMICONDUCTOR - MMBFJ309LT1G - JFET Transistor, JFET, -25 V, 12 mA, 30 mA, -4 V, SOT-23, JFET
onsemi JFET, N, , SOT-23, Vds=25 V, 3, Idss: 12 to 30mA
SS SOT23 JFET NCH 25V TR; Breakdown Voltage Vbr: -25V; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min: 12mA; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max: 30mA; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max: -4V; Transistor Case Style: SOT-2
Rf Jfet, N Channel, 25V, Sot-23; Tipo De Transistor:Jfet; Tensión Disruptiva Vbr:-25V; Corr. De Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula:12Ma; Corr. De Drenaje Idss Máx, Tens De Puerta Nula:30Ma; Núm. De Contactos:3 |Onsemi MMBFJ309LT1G
Channel Type = N-Channel / Configuration = Single / Drain-Source Voltage (Vds) V = 25 / Breakdown Voltage V = -25 / Power Dissipation (Pd) mW = 225 / Gate-Source Cutoff Voltage Max. (Vgs(off)) V = -4 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SOT-23 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 260
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -6.12%
Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23-3
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.437803 g
Technical
Breakdown Voltage-25 V
Continuous Drain Current (ID)10 mA
Current Rating30 mA
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance5 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation225 mW
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation225 mW
Schedule B8541210080
Voltage Rating25 V
Voltage Rating (DC)-25 V
Dimensions
Height1.016 mm
Length3.0226 mm
Width1.397 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade