onsemi MMBF4118
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1994-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 days ago)
LTB Date2019-10-12
LTD Date2020-04-12
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 4 days ago)
Peças relacionadas
NXP SemiconductorsPMBFJ112,215
Jfet Transistor, Junction Field Effect, Jfet, 40 V, 5 Ma, 3 V, Sot-23 Rohs Compliant: Yes
Descrições
Descrições de onsemi MMBF4118 fornecidas pelos seus distribuidores.
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET
Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R
JFET, -40V, 240UA, 150DEG C; Breakdown Voltage Vbr: -40V; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min: 80µA; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max: 240µA; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max: -3V; Transistor Case Style: S
This device is designed for low current DC and audio applications. These devices provide excellent performance as input stages for sub-picoamp instrumentation or any high impedance signal sources. Sourced from Process 53.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight30 mg
Technical
Breakdown Voltage-40 V
Continuous Drain Current (ID)1 nA
Current Rating280 mA
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)-40 V
Input Capacitance3 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation225 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Power Dissipation225 mW
Voltage Rating (DC)-40 V
Dimensions
Height1.11 mm
Length2.92 mm
Width1.3 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade