onsemi MJE15035G
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
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 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 EE Concierge | SímboloPegada | ||
 SnapEDA | 3D | Baixar | |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2003-10-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Peças relacionadas
onsemiKSB1366GTU
Transistor, bjt, pnp,60V V(Br)Ceo,3A I(C),to-220Ab(Fp) Rohs Compliant: Yes |Onsemi KSB1366GTU
Descrições
Descrições de onsemi MJE15035G fornecidas pelos seus distribuidores.
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 350 V, 4 A, 50 W, TO-220, Through Hole
ON SEMI MJE15035G PNP HIGH VOLTAGE BIPOLAR TRANSISTOR,4 A,350V,3-PIN TO-220AB
350V 2W 10@2A,5V 4A PNP TO-220 Bipolar Transistors - BJT ROHS
MJE Series 350 V 4 A PNP Complementary Silicon Plastic Power Transistor TO-220AB
Bipolar Transistor, PNP, 350 V, 4.0 A
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
BIPOLAR Transistor, PNP, -350V, TO-220;; TO-220; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-350V;
Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Power Transistor, TO-220, PNP, 350V
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, 350V; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -350V; Transition Frequency ft: 30MHz; Power Dissipation Pd: 50W; DC Collector Current: -4A; DC Current Gain hFE: 10hFE; Transistor Ca
Bipolar Transistor, Pnp, -350V, To-220; Transistor Polarity:Pnp; Collector Emitter Voltage Max:350V; Continuous Collector Current:4A; Power Dissipation:50W; Transistor Mounting:Through Hole; No. Of Pins:3Pins; Product Range:-; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Onsemi MJE15035G.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -17.60%
Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight4.535924 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)350 V
Collector Emitter Breakdown Voltage350 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)350 V
Current Rating-4 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency30 MHz
Gain Bandwidth Product30 MHz
hFE Min10
Max Collector Current4 A
Max Frequency30 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation50 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation2 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency30 MHz
Voltage Rating (DC)-350 V
Dimensions
Height9.28 mm
Length10.28 mm
Width4.82 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade