onsemi MJE15029G
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 EE Concierge | SímboloPegada | ||
 TraceParts | 3D | Baixar | |
 Ultra Librarian | SímboloPegada | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1995-06-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descrições
Descrições de onsemi MJE15029G fornecidas pelos seus distribuidores.
ON SEMI MJE15029G PNP BIPOLAR TRANSISTOR, 8 A, 120 V, 3-PIN TO-220AB
MJE Series 120 V 8 A PNP Complementary Silicon Plastic Power Transistor TO-220AB
8.0 A, 120 V PNP Bipolar Power Transistor
PNP SILICON PLASTIC POWER TRANSISTOR Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Trans GP BJT PNP 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Bipolar Transistors - BJT 8A 120V 50W PNP
10Ã×A 120V 50W 8A 20@4A2V 30MHz 500mV@1A100mA PNP -65¡Í~+150¡Í@(Tj) TO-220 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Power Transistor, Pnp, -120V To-220; Transistor Polarity:Pnp; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:120V; Dc Collector Current:8A; Power Dissipation Pd:50W; Transistor Mounting:Through Hole; No. Of Pins:3Pins; Dc Current Gain Hfe:40Hfe Rohs Compliant: Yes |Onsemi MJE15029G.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight4.535924 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)120 V
Collector Emitter Breakdown Voltage120 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)120 V
Current Rating-8 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency30 MHz
Gain Bandwidth Product30 MHz
hFE Min20
Max Collector Current8 A
Max Frequency30 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation50 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityPNP
Power Dissipation2 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency30 MHz
Voltage Rating (DC)-120 V
Dimensions
Height9.28 mm
Length10.28 mm
Width4.82 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade