onsemi MJD31T4G
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Stock
657,756
273,648
Authorized Distributors
6
2
Mount
-
-
Case/Package
DPAK
TO-252-3
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
40 V
-
Max Collector Current
3 A
3 A
Transition Frequency
3 MHz
3 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1.2 V
1.2 V
hFE Min
10
10
Power Dissipation
1.56 W
15 W
Cadeia de suprimentos
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descrições
Descrições de onsemi MJD31T4G fornecidas pelos seus distribuidores.
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
3.0 A, 40 V NPN Bipolar Power Transistor
ON SEMICONDUCTOR - MJD31T4G - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 40V, D-PAK, FULL REEL
MJD Series 40 V 3 A NPN Complementary Power Transistor - TO-252-3
ON SEMI MJD31T4G NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 3 A, 40 V, 3-PIN DPAK
Trans GP BJT NPN 40V 5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Transistor Polarity:NPN, PNP; Collector Emitter Voltage Max NPN:40V; Collector Emitter Voltage Max PNP:40V; Continuous Collector Current NPN:3A; Continuous Collector Current PNP:3A; Power Dissipation NPN:15W; No. of Pins:4Pins RoHS Compliant: Yes
TRANSISTOR, NPN, 40V, TO-252; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 40V; Transition Frequency ft: 3MHz; Power Dissipation Pd: 15W; DC Collector Current: 3A; DC Current Gain hFE: 10hFE; Transistor Case S
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -29.02%
Modelos CAD
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Peças alternativas
1 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)40 V
Collector Emitter Breakdown Voltage40 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)40 V
Current Rating3 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency3 MHz
Gain Bandwidth Product3 MHz
hFE Min10
Max Breakdown Voltage40 V
Max Collector Current3 A
Max Frequency1 kHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation15 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation1.56 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency3 MHz
Voltage Rating (DC)40 V
Dimensions
Height2.38 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade