onsemi MJD31C1G
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1998-09-25
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 5 days ago)
LTB Date2023-06-15
LTD Date2023-12-15
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 5 days ago)
Peças relacionadas
Descrições
Descrições de onsemi MJD31C1G fornecidas pelos seus distribuidores.
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
3.0 A, 100 V NPN Bipolar Power Transistor
ON Semi MJD31C1G NPN Bipolar Transistor; 3 A; 100 V; 3-Pin IPAK
MJD Series 100 V 3 A NPN Complementary Power Transistor - TO-262-3
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
100V 15W 3A 10@3A4V 3MHz 1.2V@3A375mA NPN -65¡Í~+150¡Í@(Tj) IPAK Bipolar Transistors - BJT ROHS
Bipolar Transistor, Npn, 100V Ipak-4; Transistor, Polaridad:Npn; Tensión Colector Emisor V(Br)Ceo:100V; Frecuencia De Transición Ft:3Mhz; Disipación De Potencia Pd:15W; Corriente De Colector Dc:3A; Ganancia De Corriente Dc Hfe:10 |Onsemi MJD31C1G
TRANSISTOR, NPN, 100V, 3A, DPAK; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100V; Transition Frequency ft: 3MHz; Power Dissipation Pd: 15W; DC Collector Current: 3A; DC Current Gain hFE: 10hFE; Transistor Ca
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-251
Contact PlatingTin
Number of Pins4
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage10 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Current Rating3 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency3 MHz
Gain Bandwidth Product3 MHz
hFE Min10
Max Breakdown Voltage100 V
Max Collector Current3 A
Max Frequency1 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation15 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation1.56 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency3 MHz
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height6.22 mm
Length6.73 mm
Width2.38 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade