onsemi MCH6664-TL-W
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-12-21
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 hours ago)
LTB Date2021-07-05
LTD Date2022-07-05
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 4 hours ago)
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InfineonBSD316SNH6327XTSA1
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Descrições
Descrições de onsemi MCH6664-TL-W fornecidas pelos seus distribuidores.
Dual Mosfet, Dual P Channel, -1.5 A, -30 V, 0.458 Ohm, -4 V, -2.6 V |Onsemi MCH6664-TL-W
Dual P-Channel Power MOSFET, -30V, -1.5A, 325mΩ
MCH6664 Series 30 V 325 mOhm Dual P-Channel Power Mosfet - SC-88FL/ MCPH6
PCH 1.5A 30V SOT-363; Transistor Polarity: Dual P Channel; Continuous Drain Current Id: -1.5A; Drain Source Voltage Vds: -30V; On Resistance Rds(on): 0.458ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -4V; Threshold Voltage Vgs: -2.6V; Power
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-363
Contact PlatingTin Bismuth
MountSurface Mount
Number of Pins6
Weight7.512624 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)-1.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance250 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-30 V
Element ConfigurationDual
Fall Time5.4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance82 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation800 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation800 mW
Rds On Max325 mΩ
Rise Time3.3 ns
Schedule B8541210080
Threshold Voltage-2.6 V
Turn-Off Delay Time12 ns
Turn-On Delay Time4 ns
Dimensions
Height900 µm
Length2 mm
Width1.6 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade