onsemi MCH3475-TL-E
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-03-18
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 4 days ago)
Peças relacionadas
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Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 2A Ta 2A 800mW 12ns
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Single N-Channel Power MOSFET 30V, 2.5A, 110mΩ Automotive Version of the NTR4503N
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Diodes Inc.DMN3200U-7
Single N-Channel 30 V 200 mOhm 650 mW Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23
Descrições
Descrições de onsemi MCH3475-TL-E fornecidas pelos seus distribuidores.
Single N-Channel Power MOSFET 30V,1.8A, 180mΩ
MCH3475-TL-E N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 1.8 A, 30 V, 3-PIN MCHP
MOSFET, N-CH, 30V, 1.8A, SOT-323; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1.8A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.135ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.6V; P
MOSFET, N CH 30V 1.8A MCPH3; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Typ Voltage Vds:30V; Cont Current Id:1.8A; On State Resistance:0.18ohm; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Typ Voltage Vgs th:2.6V; Case Style:MCPH3; Termination Type:SMD; Power Dissipation:0.8W; Transistor Case Style:MCPH
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23-3
Number of Pins3
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance88 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation800 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation800 mW
Rds On Max180 mΩ
Resistance180 mΩ
Rise Time3.6 ns
Schedule B8541210080
Turn-Off Delay Time10.5 ns
Turn-On Delay Time3.4 ns
Dimensions
Height850 µm
Length2 mm
Width1.6 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade