onsemi KSP13TA
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Peças relacionadas
onsemiMPSA14RLRA
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
Descrições
Descrições de onsemi KSP13TA fornecidas pelos seus distribuidores.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
500 mA, 30 V NPN Darlington Bipolar Junction Transistor
10000@5V,100mA 30V NPN 500mA 625mW TO-92-3 Darlington Transistors ROHS
Trans Darlington NPN 30V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
Transistor, Npn, 30V, 0.5A, To-92-3; |Onsemi KSP13TA
TRANSISTOR, NPN, 30V, 0.5A, TO-92-3; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 30V; Transition Frequency ft: 125MHz; Power Dissipation Pd: 625mW; DC Collector Current: 500mA; DC Current Gain hFE: 10000hFE;
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -8.56%
Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-92-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight240 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)30 V
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.5 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Current Rating500 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)10 V
Gain Bandwidth Product125 MHz
hFE Min10000
Max Breakdown Voltage30 V
Max Collector Current500 mA
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation625 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation625 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency125 MHz
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height8.77 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade