onsemi KSD880YTU
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 5 days ago)
LTB Date2025-10-08
LTD Date2026-04-08
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 5 days ago)
Peças relacionadas
onsemiKSD2012YTU
Tube Through Hole NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 100 @ 500mA 5V 100muA ICBO 25W 3MHz
Descrições
Descrições de onsemi KSD880YTU fornecidas pelos seus distribuidores.
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Trans GP BJT NPN 60V 3A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
TRANS, NPN, 60V, 3A, 150DEG C, 30W; Available until stocks are exhausted
onsemi NPNTransistor, TO-220encapsulation, Through hole mounting, Maximum DC collector current3 A, maximum collector-emission voltage60 V
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -100%
Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage60 V
Collector Emitter Saturation Voltage400 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)60 V
Current Rating3 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)7 V
Frequency3 MHz
Gain Bandwidth Product3 MHz
hFE Min100
Max Collector Current3 A
Max Frequency1 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation30 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation30 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency3 MHz
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height20.4 mm
Length9.9 mm
Width4.5 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade