onsemi KSC945YTA
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-12-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 300mW Through Hole TO-92-3
Descrições
Descrições de onsemi KSC945YTA fornecidas pelos seus distribuidores.
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 50 V, 300 MHz, 250 mW, 150 mA, 120
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 250mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 50V, TO-92-3
50V 250mW 150mA 120@1mA6V 300MHz 150mV@100mA10mA NPN +150¡Í@(Tj) TO-92-3L Bipolar Transistors - BJT ROHS
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 50V, TO-92-3; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50V; Transition Frequency ft: 300MHz; Power Dissipation Pd: 250mW; DC Collector Current: 150mA; DC Current Gain hFE: 120hFE; T
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -7.09%
Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-92-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight240 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage150 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Current Rating150 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency300 MHz
Gain Bandwidth Product300 MHz
hFE Min120
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current150 mA
Max Frequency1 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation250 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation250 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency300 MHz
Voltage Rating (DC)50 V
Dimensions
Height8.77 mm
Length4.58 mm
Width3.86 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade