onsemi KSC2316YTA
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date2000-12-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 days ago)
LTB Date2020-01-16
LTD Date2020-07-16
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 6 days ago)
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Descrições
Descrições de onsemi KSC2316YTA fornecidas pelos seus distribuidores.
KSC2316 Series 120 V 800 mA NPN Epitaxial Silicon Transistor - TO-92-3
Trans GP BJT NPN 120V 0.8A 900mW 3-Pin TO-92L Fan-Fold
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
1V@ 50mA,500mA NPN 900mW 5V 100nA 120V 120V 800mA TO-92-3 4.9mm*3.9mm*8mm
TRANSISTOR NPN 120V 800MA TO-92L
Transistor, BIPOL, NPN, 120V, TO-92L-3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:120V; Transition Frequency ft:120MHz; Power Dissipation Pd:900mW; DC Collector Current:800mA; DC Current Gain hFE:60hFE; Transistor Case Style:TO-92L; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-226-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight371.1027 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)120 V
Collector Emitter Breakdown Voltage120 V
Collector Emitter Saturation Voltage1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)120 V
Current Rating800 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency120 MHz
Gain Bandwidth Product120 MHz
hFE Min120
Max Breakdown Voltage120 V
Max Collector Current800 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation900 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation900 mW
Transition Frequency120 MHz
Voltage Rating (DC)120 V
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade