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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-11-20
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 7 months ago)
LTB Date2006-10-05
LTD Date2007-04-05
Peças relacionadas
Rochester ElectronicsIPS105N03LG
MOSFET, N CH, 35A, 30V, PG-TO251-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Dr
Descrições
Descrições de onsemi ISL9N310AD3 fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH 30V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
Not available to order N-Ch LL UltraFET PWM Optimized
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA
70W 20V 32nC@ 10V 1individualNChannel 30V 10mΩ@ 10V 35A 1.8nF@ 15V TO-251 Through hole mounting 10.67mm*4.7mm*16.3mm
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-251
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)35 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance15 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time38 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation70 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation70 W
Rise Time34 ns
Turn-Off Delay Time63 ns
Fichas técnicas e documentos
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