onsemi IRFS350A
$ 2.149
Obsolete
Preço e estoque
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Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: Restocked
Modelos CAD
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Peças alternativas
0 peça disponível
Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para onsemi IRFS350A.
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1997-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2009-03-09
LTD Date2009-09-09
Peças relacionadas
STMicroelectronicsSTP15NK50ZFP
Mosfet Transistor, N Channel, 14 A, 500 V, 340 Mohm, 10 V, 3.75 V Rohs Compliant: Yes
STMicroelectronicsSTP14NK50ZFP
N-Channel 500 V 380 mOhm Flange Mount SuperMESH Power Mosfet - TO-220FP
STMicroelectronicsSTP12NM50FP
STP12NM50FP N-channel MOSFET Transistor, 12 A, 500 V, 3-Pin TO-220FP
Descrições
Descrições de onsemi IRFS350A fornecidas pelos seus distribuidores.
Power Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 400V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH 400V 11.5A TO-3PF
MOSFETs 400V N-Channel A-FET
Field Effect Tube (MOSFET)
N-CHANNEL POWER MOSFET
MISCELLANEOUS MOSFETS;
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: Restocked
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)11.5 A
Current Rating11.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage400 V
Drain to Source Resistance300 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)400 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time32 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance2.78 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation92 W
Min Breakdown Voltage400 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation92 W
Rds On Max300 mΩ
Rise Time22 ns
Turn-Off Delay Time100 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Voltage Rating (DC)400 V
Dimensions
Height29.9 mm
Fichas técnicas e documentos
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