onsemi HUFA75343P3
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-12-08
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 months ago)
LTB Date2008-09-17
LTD Date2009-03-17
Peças relacionadas
InfineonIRF3205ZPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 4.9Milliohms;ID 110A;TO-220AB;PD 170W;-55de
InfineonIRF1010NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 11 Milliohms;ID 85A;TO-220AB;PD 180W;gFS 32S
Descrições
Descrições de onsemi HUFA75343P3 fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
75 A 55 V 0.009 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-220AB
PWR MOS ULTRAFET 55V/75A/0.009OHMS N-CHANNEL-TO-220AB
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
270W(Tc) 4V@ 250¦ÌA 205nC@ 20V 1individualNChannel 55V 9m¦¸@ 75A,10V 3pF@25V TO-220-3 Through hole mounting
MOSFETs 75a,55V,0.009Ohm,NCh UltraFET
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: Restocked
Modelos CAD
0 models available
Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Current Rating75 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time18 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation270 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation270 W
Rds On Max9 mΩ
Rise Time75 ns
Turn-Off Delay Time32 ns
Voltage Rating (DC)55 V
Fichas técnicas e documentos
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