onsemi HUFA75337S3ST
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-12-08
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 7 months ago)
LTB Date2009-03-09
LTD Date2009-09-09
Peças relacionadas
InfineonIPB80N06S2L11ATMA2
55V, N-Ch, 10.7 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™, PG-TO263-3, RoHS
InfineonIPB77N06S212ATMA2
55V, N-Ch, 11.7 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™, PG-TO263-3, RoHS
onsemiHUF76437S3ST
155W(Tc) 3V@ 250µA 71nC@ 10V 1individualNChannel 60V 14mΩ@ 71A,10V 2.23pF@25V D2PAK SMD mount
onsemiFDB14AN06LA0
N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 60A, 14.6mΩ | MOSFET N-CH 60V 67A TO-263AB
Descrições
Descrições de onsemi HUFA75337S3ST fornecidas pelos seus distribuidores.
175W(Tc) 4V@ 250µA 109nC@ 20V 1individualNChannel 55V 14mΩ@ 75A,10V 1.775pF@25V D2PAK SMD mount
Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
75 A 55 V 0.014 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-263AB
MOSFETs 75a,55V,0.014Ohm,NCh UltraFET
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -42.86%
Modelos CAD
0 modelos disponíveis
Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Current Rating75 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance14 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time28 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.775 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation175 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation175 W
Rds On Max14 mΩ
Rise Time56 ns
Turn-Off Delay Time31 ns
Voltage Rating (DC)55 V
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade