onsemi HUFA75309P3
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-12-08
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 months ago)
LTB Date2008-03-11
LTD Date2008-09-11
Peças relacionadas
InfineonIRFZ24NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.07Ohm;ID 17A;TO-220AB;PD 45W;VGS +/-20V
InfineonIRLZ24NPBF
Infineon Technologies N channel HEXFET power MOSFET, 55 V, 18 A, TO-220, IRLZ24NPBF
InfineonIRF9Z34NPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -55V;RDS(ON) 0.1Ohm;ID -19A;TO-220AB;PD 68W;VGS +/-20V
NXP SemiconductorsBUK95150-55A,127
Trans MOSFET N-CH 55V 13A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Descrições
Descrições de onsemi HUFA75309P3 fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
55W(Tc) 4V@ 250¦ÌA 24nC@ 20V 1individualNChannel 55V 70m¦¸@ 19A,10V 350pF@25V TO-220-3 Through hole mounting
PWR MOS ULTRAFET 55V/19A/0.070HMS N-CHANNEL TO-220AB
Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 55V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFETs 19a, 55V N-Channel UltraFET
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: Restocked
Modelos CAD
0 models available
Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)19 A
Current Rating19 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance70 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time30 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance350 pF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation55 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation55 W
Rds On Max70 mΩ
Rise Time39 ns
Turn-Off Delay Time24 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Voltage Rating (DC)55 V
Dimensions
Height20.4 mm
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