onsemi HUF76423P3
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Modelos CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 SnapEDA | Pegada | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1999-03-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Peças relacionadas
Descrições
Descrições de onsemi HUF76423P3 fornecidas pelos seus distribuidores.
TRANSISTOR, N-CHANNEL, ULTRAFET POWER MOSFET, 55V, 75A, 8MOHM, TO-220AB
N-Channel Logic Level UltraFET Power MOSFET 60V, 33A, 35mΩ
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, 60V, 33A; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 33A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.03ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Power Dissipation Pd:
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +6.14%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)35 A
Current Rating33 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance35 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time76 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance1.06 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation85 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation85 W
Rds On Max30 mΩ
Resistance30 mΩ
Rise Time85 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time47 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height16.3 mm
Length10.67 mm
Width4.7 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade