onsemi HN1B01FDW1T1G
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | HN1B01FDW1T1G | 1.303 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | HN1B01FDW1T1G | 21.000 | 7634 | |||||||||
| Rochester Electronics | HN1B01FDW1T1G | 30.042 | 11h | |||||||||
| DigiKey | HN1B01FDW1T1GOSCT-ND | 2.740 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Onlinecomponents.com | HN1B01FDW1T1G | 0 | 3K | Bulk |
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1 peça disponível
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 EE Concierge | SímboloPegada | ||
 SnapEDA | Pegada | Baixar | |
 Ultra Librarian | SímboloPegada | Baixar |
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Stock
3,153,498
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Authorized Distributors
6
1
Mount
-
-
Case/Package
SC
SC
Polarity
NPN, PNP
NPN, PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
50 V
50 V
Max Collector Current
200 mA
200 mA
Transition Frequency
-
-
Collector Emitter Saturation Voltage
-150 mV
-150 mV
hFE Min
200
200
Power Dissipation
380 mW
380 mW
Cadeia de suprimentos
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
ROHM2SA1576AT106R
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Descrições
Descrições de onsemi HN1B01FDW1T1G fornecidas pelos seus distribuidores.
Bipolar Transistors (BJT); HN1B01FDW1T1G; ON SEMICONDUCTOR; NPN, PNP; 6; 50 V; 200 mA
50V 380mW 200@2.0mA,6.0V 200mA NPN+PNP SC-74 Bipolar (BJT) ROHS
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A Automotive 6-Pin SC-74 T/R
250mV@ 10mA,100mA,300mV@ 10mA,100mA NPN,PNP 380mW 7V 2¦ÌA 60V 50V 200mA SC-74 3mm*1.5mm*940¦Ìm
ON SEMI HN1B01FDW1T1G PNP BIPOLAR TRANSISTOR, 0.2 A, 50 V, 6-PIN SC-74
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT;
Bipolar Transistors - BJT 200mA 60V Dual Complementary
Transistor Polarity:npn, Pnp; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:50V; Dc Collector Current:200Ma; Power Dissipation Pd:380Mw; Dc Current Gain Hfe:200Hfe; No. Of Pins:6Pins; Transistor Mounting:surface Mount; Product Range:- Rohs Compliant: Yes
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSC
Contact PlatingTin
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage-150 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Current Rating200 mA
Element ConfigurationDual
Emitter Base Voltage (VEBO)7 V
hFE Min200
Max Collector Current200 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation380 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PackagingTape and Reel
PolarityNPN, PNP
Power Dissipation380 mW
Voltage Rating (DC)-60 V
Dimensions
Height1.1 mm
Length3.1 mm
Width1.7 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade