onsemi HGT1S2N120CN
$ 1.755
Obsolete
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Descrições
Descrições de onsemi HGT1S2N120CN fornecidas pelos seus distribuidores.
Insulated Gate Bipolar Transistor, 13A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-262AA
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 13A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Rail
PWR IGBT 2.6A 1200V NPT N-CHANNE TO-262AA
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT;
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: Restocked
Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage1.2 kV
Collector Emitter Saturation Voltage2.05 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)1.2 kV
Current Rating13 A
Element ConfigurationSingle
Fall Time320 ns
Max Collector Current13 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation104 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation104 W
Rise Time15 ns
Voltage Rating (DC)1.2 kV
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade