onsemi FQU8P10TU
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2000-10-18
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 week ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)
Peças relacionadas
InfineonIRLU120NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.185Ohm;ID 10A;I-Pak (TO-251AA);PD 48W
InfineonIRFU120NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.21Ohm;ID 9.4A;I-Pak (TO-251AA);PD 48W
Descrições
Descrições de onsemi FQU8P10TU fornecidas pelos seus distribuidores.
Power MOSFET, P-Channel, QFET®, -100 V, -6.6 A, 530 mΩ, IPAK
-100 V, -6.6 A, 530 MILLI OHM P-CHANNEL QFET MOSFET Power Field-Effect Transistor, 6.6A I(D), 100V, 0.53ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251
2.5W(Ta)，44W(Tc) 30V 4V@ 250µA 15nC@ 10 V 1individualPChannel 100V 530mΩ@ 3.3A,10V 6.6A 470pF@25V TO-251 Through hole mounting 6.8mm*2.5mm*6.3mm
This P-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control, and variable switching power applications.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Weight343.08 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.6 A
Current Rating-6.7 A
Drain to Source Resistance530 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time35 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance470 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation44 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max530 mΩ
Rise Time110 ns
Turn-Off Delay Time20 ns
Voltage Rating (DC)-100 V
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Declarações de conformidade