onsemi FQU3N50CTU
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2005-05-23
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 4 days ago)
Peças relacionadas
STMicroelectronicsSTD5NK40Z-1
STD5NK40Z-1 N-channel MOSFET Transistor, 3 A, 400 V, 3-Pin TO-251
STMicroelectronicsSTU3LN62K3
N-channel 620 V, 2.5 Ω , 2.5 A SuperMESH3™ Power MOSFET DPAK, TO-220FP, TO-220, IPAK
Descrições
Descrições de onsemi FQU3N50CTU fornecidas pelos seus distribuidores.
Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 500 V, 2.5 A, 2.5 Ω, IPAK
Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail
500V 2.5A 2.5´Î@10V1.25A 35W 4V@250Ã×A N Channel TO-251-3 MOSFETs ROHS
Qfc 500V 2.5Ohm Ipak/Tube Rohs Compliant: Yes |Onsemi FQU3N50CTU
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFETs 500V N-Channel Adv QFET C-series
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor®’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight343.08 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance2.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance365 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation35 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation35 W
Rds On Max2.5 Ω
Rise Time25 ns
Turn-Off Delay Time35 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height9.85 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade