onsemi FQU12N20TU
$ 0.414
Obsolete
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | FQU12N20TU | 3.914 | 17h | |||||||||
| Farnell | FQU12N20TU | 0 | 5040 | Tube | 17h | |||||||
| Microchip USA | FQU12N20TU | 336 | 600 | Bulk | 11h | |||||||
| Component Stockers USA | FQU12N20TU | 5.907 | 2d | |||||||||
| Win Source | WS-FQU12N20TU | 1.714 | 40 | 18h |
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 days ago)
Descrições
Descrições de onsemi FQU12N20TU fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel QFET® MOSFET 200V, 9.0A, 280mΩ
Transistor,mosfet,n-Channel,200V V(Br)Dss,9A I(D),to-251Aa Rohs Compliant: Yes |Onsemi FQU12N20TU
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor®’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts..
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight343.08 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)9 A
Current Rating9 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance280 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time55 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance910 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation55 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max280 mΩ
Rise Time120 ns
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Voltage Rating (DC)200 V
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade