onsemi FQPF33N10
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Peças relacionadas
onsemiFDPF3860TYDTU
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
InfineonIRFI540NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.052Ohm;ID 20A;TO-220 Full-Pak;PD 54W
InfineonIRLI540NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.044Ohm;ID 23A;TO-220 Full-Pak;PD 54W
Descrições
Descrições de onsemi FQPF33N10 fornecidas pelos seus distribuidores.
Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 100 V, 18 A, 52 mΩ, TO-220F
Trans MOSFET N-CH 100V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
Single N-Channel 100 V 41 W 51 nC DMOS Through Hole Mosfet - TO-220F
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control, and variable switching power applications.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight2.27 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)18 A
Current Rating18 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance52 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time110 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.5 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation41 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation41 W
Rds On Max52 mΩ
Rise Time195 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time80 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade