onsemi FQPF19N20C
$ 0.791
Production
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | FQPF19N20C | 358 | 340 | |||||||||
| Rochester Electronics | FQPF19N20C | 3.848 | 23h | |||||||||
| DigiKey | FQPF19N20C-ND | 79 | 1 | Tube | ||||||||
| Newark | FQPF19N20C | 0 | 300 | |||||||||
| Onlinecomponents.com | FQPF19N20C | 0 | 50 | Bulk |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 SnapEDA | Pegada | Baixar | |
 Ultra Librarian | SímboloPegada | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2004-03-22
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descrições
Descrições de onsemi FQPF19N20C fornecidas pelos seus distribuidores.
Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 200 V, 19 A, 170 mΩ, TO-220F
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,200V V(BR)DSS,19A I(D),TO-220AB(FP)
FQPF19 Series 200 V 0.17 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - TO-220F
Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 200V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight2.27 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)19 A
Current Rating19 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance170 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time115 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.08 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation43 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation43 W
Rds On Max170 mΩ
Rise Time150 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time135 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Voltage Rating (DC)200 V
Dimensions
Height9.19 mm
Length10.16 mm
Width4.7 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade