onsemi FQPF11N50CF
$ 0.962
Obsolete
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Fichas técnicas e documentos
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2005-07-19
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2022-06-23
LTD Date2022-12-23
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
Descrições
Descrições de onsemi FQPF11N50CF fornecidas pelos seus distribuidores.
Power MOSFET, N-Channel, QFET®, FRFET®, 500 V, 11 A, 550 mΩ, TO-220F
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
MOSFET, N-CH, 500V, 11A, 150DEG C, 48W; Available until stocks are exhausted Alternative available
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 500V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFETs 500V N-Ch Adv Q-FET C-series (FRFET)
FQPF11N50CF.,3LD PLAS,ISOLATED HEAT SINK, LEAD 12.98<AZ
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +0.00%
Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight2.27 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)11 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance550 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time75 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance2.055 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation48 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation48 W
Rds On Max550 mΩ
Rise Time70 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time120 ns
Turn-On Delay Time24 ns
Dimensions
Height16.07 mm
Length10.36 mm
Width4.9 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade