onsemi FQP6N70
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-12-07
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 days ago)
LTB Date2019-10-12
LTD Date2020-04-12
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 days ago)
Descrições
Descrições de onsemi FQP6N70 fornecidas pelos seus distribuidores.
Transistor,mosfet,n-Channel,700V V(Br)Dss,6.2A I(D),to-220Ab Rohs Compliant: Yes
Trans MOSFET N-CH 700V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 700V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been expecially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency switch mode power supply.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220AB
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.2 A
Current Rating6.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage700 V
Drain to Source Resistance1.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)700 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time50 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.4 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation142 W
Min Breakdown Voltage700 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingRail/Tube
Power Dissipation142 W
Rds On Max1.5 Ω
Rise Time70 ns
Turn-Off Delay Time55 ns
Turn-On Delay Time25 ns
Voltage Rating (DC)700 V
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade