onsemi FQP3N60C
Obsolete
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | Pegada | 3D | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2006-02-09
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 days ago)
LTB Date2022-06-23
LTD Date2022-12-23
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 6 days ago)
Descrições
Descrições de onsemi FQP3N60C fornecidas pelos seus distribuidores.
Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 600 V, 3 A, 3.4 Ω, TO-220
Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
N-Channel 600 V 3.4 Ohm Flange Mount Mosfet - TO-220
Transistor, mosfet, n-Channel,600V V(Br)Dss,3A I(D),to-220Ab Rohs Compliant: Yes |Onsemi FQP3N60C
600V 3A 75W 3.4´Î@10V1.5A 4V@250Ã×A N Channel TO-220(TO-220-3) MOSFETs ROHS
600 V N-CHANNEL MOSFET Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 600V, 3.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)3 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance3.4 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time35 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance565 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation75 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation75 W
Rds On Max3.4 Ω
Resistance3.4 Ω
Rise Time30 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time35 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade