onsemi FQP34N20
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EOL
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | FQP34N20 | 1.843 | 143 | 4h | ||||||||
| Flip Electronics | FQP34N20 | 25.843 | >1wk | |||||||||
| Farnell | FQP34N20 | 0 | 1K | 1h | ||||||||
| Microchip USA | FQP34N20 | 186 | 600 | Tube | 18h | |||||||
| Win Source | WS-FQP34N20 | 39.000 | 22 | 2h |
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 SnapEDA | Pegada | 3D | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-09-23
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 4 days ago)
LTB Date2022-12-30
LTD Date2023-06-30
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)
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Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube / MOSFET N-CH 200V 25A TO-220AB
Descrições
Descrições de onsemi FQP34N20 fornecidas pelos seus distribuidores.
Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 200 V, 31 A, 75 mΩ, TO-220
Single N-Channel 200 V 0.075 Ohm 78 nC 180 W DMOS Flange Mount Mosfet - TO-220-3
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This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)31 A
Current Rating31 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance75 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time115 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance3.1 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation180 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs5 V
Number of Elements1
Power Dissipation180 W
Rds On Max75 mΩ
Rise Time280 ns
Threshold Voltage5 V
Turn-Off Delay Time125 ns
Turn-On Delay Time40 ns
Voltage Rating (DC)200 V
Dimensions
Height9.4 mm
Length10.1 mm
Width4.7 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade