Preço e estoque
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Tendência de 3 meses: Restocked
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Peças alternativas
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Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para onsemi FQI50N06LTU.
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-07-10
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Peças relacionadas
InfineonAUIRFZ46NL
Automotive Q101 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 Package, TO262-3, RoHS
InfineonIPI084N06L3GXKSA1
MOSFET N-CH 60V 50A TO262-3 / N-Channel 60 V 50A (Tc) 79W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Descrições
Descrições de onsemi FQI50N06LTU fornecidas pelos seus distribuidores.
MOSFET N-CH 60V 52.4A I2PAK
Power Field-Effect Transistor, 52.4A I(D), 60V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
MOSFETs 60V N-Channel QFET Logic Level
N-CHANNEL POWER MOSFET
MISCELLANEOUS MOSFETS;
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: Restocked
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)52.4 A
Current Rating52.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance25 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time145 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.63 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation121 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation3.75 W
Rds On Max21 mΩ
Rise Time380 ns
Turn-Off Delay Time80 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para onsemi FQI50N06LTU.
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade