Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
Distribuidor
SKU
Mín.
Embalagem
Preço em massa
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +0.00%
Modelos CAD
0 modelos disponíveis
Peças alternativas
0 peça disponível
Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para onsemi FQI2N30TU.
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-06-08
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 7 months ago)
LTB Date2008-03-11
LTD Date2008-09-11
Descrições
Descrições de onsemi FQI2N30TU fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH 300V 2.1A 3-Pin(3+Tab) I2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 300V, 3.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
N-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFETs 300V N-Channel QFET
3.13W(Ta)，40W(Tc) 5V@ 250µA 5nC@ 10V 1individualNChannel 300V 3.7Ω@ 1.05A,10V 130pF@25V I2PAK，TO-262 Through hole mounting
MISCELLANEOUS MOSFETS;
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +0.00%
Modelos CAD
0 modelos disponíveis
Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.1 A
Current Rating2.1 A
Drain to Source Breakdown Voltage300 V
Drain to Source Resistance3.7 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)300 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time21 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance130 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation40 W
Min Breakdown Voltage300 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation3.13 W
Rds On Max3.7 Ω
Rise Time26 ns
Turn-Off Delay Time5.5 ns
Voltage Rating (DC)300 V
Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para onsemi FQI2N30TU.
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade