onsemi FQD17N08LTM
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-09-14
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 2 days ago)
LTB Date2022-06-23
LTD Date2022-12-23
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
Peças relacionadas
Diodes Inc.DMP6180SK3-13
P-Channel 60 V 110 mO Surface Mount Enhancement Mode Mosfet -TO-252-3 (DPAK)
Descrições
Descrições de onsemi FQD17N08LTM fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel Power MOSFET, Logic Level, QFET®, 80 V, 12.9 A, 100 mΩ, DPAK
Trans MOSFET N-CH 80V 12.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 1
Power Field-Effect Transistor, 12.9A I(D), 80V, 0.115ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
IC,FQD17N08LTM,FAIRCHILD SEMI< NV
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control, and variable switching power applications.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)12.9 A
Current Rating12.9 A
Drain to Source Breakdown Voltage80 V
Drain to Source Resistance115 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time75 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance520 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation40 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max100 mΩ
Rise Time290 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Voltage Rating (DC)80 V
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade