onsemi FQB50N06LTM
EOL
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Flip Electronics | FQB50N06LTM | 18.400 | 6d | |||||||||
| Farnell | FQB50N06LTM | 0 | 1 | Cut Tape | 1d | |||||||
| Win Source | WS-FQB50N06LTM | 330 | 6 | 2h | ||||||||
| Worldway Electronics | FQB50N06LTM | 9.817 | 7 | Tape & Reel | 28m | |||||||
| IC Components Ltd. | FQB50N06LTM | 2.180 | 2d |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SímboloPegada | ||
 SnapEDA | Pegada | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-07-10
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2022-12-30
LTD Date2023-06-30
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
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Descrições
Descrições de onsemi FQB50N06LTM fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel Power MOSFET, Logic Level, QFET®, 60 V, 52.4 A, 21 mΩ, D2PAK
FQB50N06L Series 60 V 52.4 A 21 mOhm SMT N-Channel QFET Mosfet - D2PAK-3
Power Field-Effect Transistor, 52.4A I(D), 60V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N CH, 60V, 52.4A, TO-263AB-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 52.4A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.017ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2.5V; Power Dissipation Pd: 121W; Transistor Case Style: TO-263AB; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control, and variable switching power applications.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.31247 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)52.4 A
Current Rating52.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance25 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time145 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.63 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation121 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation3.75 W
Rds On Max21 mΩ
Rise Time380 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2.5 V
Turn-Off Delay Time80 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height5.08 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade