onsemi FQB47P06TM-AM002
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Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2000-10-19
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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InfineonIRFZ44ESTRLPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 60V;RDS(ON) 0.023Ohm;ID 48A;D2Pak;PD 110W;VGS +/-20V;-55
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Descrições
Descrições de onsemi FQB47P06TM-AM002 fornecidas pelos seus distribuidores.
P-Channel Power MOSFET, QFET®, -60 V, -47 A, 26 mΩ, D2PAK
FQB47P06 Series -60 V -47 A 0.026 Ohm SMT P-Channel QFET Mosfet - D2PAK-3
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 47 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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Mosfet, -60V, -47A, D2-Pak; Transistor, Polaridad:Canal P; Intensidad Drenador Continua Id:-47A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:-60V; Resistencia De Activación Rds(On):26Mohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):-10V; Tensión Umbral Vgs:-4V |Onsemi FQB47P06TM_AM002
This P-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control, and variable switching power applications.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins2
Number of Terminals2
Weight1.31247 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)47 A
Current Rating-47 A
Drain to Source Breakdown Voltage-60 V
Drain to Source Resistance26 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-60 V
Dual Supply Voltage60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time195 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance3.6 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation160 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation3.75 W
Rds On Max26 mΩ
Resistance26 mΩ
Rise Time450 ns
Schedule B8541290080
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage-4 V
Turn-Off Delay Time100 ns
Turn-On Delay Time50 ns
Voltage Rating (DC)-60 V
Dimensions
Height5.08 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade