onsemi FQB3N60CTM
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-02-07
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 7 months ago)
LTB Date2009-12-04
LTD Date2010-06-04
Peças relacionadas
onsemiFQB5N60CTM-WS
600V 4.5A 2´Î@10V2.25A 100W 4V@250uA 6.5pF@25V N Channel 515pF@25V 15nC@10V -55¡Í~+150¡Í@(Tj) D2PAK MOSFETs ROHS
Descrições
Descrições de onsemi FQB3N60CTM fornecidas pelos seus distribuidores.
75W(Tc) 4V@ 250µA 14nC@ 10V 1individualNChannel 600V 3.4Ω@ 1.5A,10V 565pF@25V D2PAK SMD mount
Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 600V, 3.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFETs N-CH/400V/ .5A/3.4OHM
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
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Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)3 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance3.4 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time35 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance565 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation75 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation75 W
Rds On Max3.4 Ω
Rise Time30 ns
Turn-Off Delay Time35 ns
Fichas técnicas e documentos
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