onsemi FQB17P10TM
Obsolete
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para onsemi FQB17P10TM.
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-10-18
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2009-12-04
LTD Date2010-06-04
Peças relacionadas
InfineonIRF530NSTRLPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 90Milliohms;ID 17A;D2Pak;PD 70W;VGS +/-20V
InfineonIRL530NSTRLPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.1Ohm;ID 17A;D2Pak;PD 79W;VGS +/-20V;Qg 34
InfineonIRL530NSPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.1Ohm;ID 17A;D2Pak;PD 79W;VGS +/-20V;Qg 34
Descrições
Descrições de onsemi FQB17P10TM fornecidas pelos seus distribuidores.
MOSFET P-CH 100V 16.5A D2PAK / Trans MOSFET P-CH 100V 16.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 16.5A I(D), 100V, 0.19ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFETs 100V P-Channel QFET
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)16.5 A
Current Rating-16.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage-100 V
Drain to Source Resistance190 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time100 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.1 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation100 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation3.75 W
Rds On Max190 mΩ
Rise Time200 ns
Turn-Off Delay Time45 ns
Voltage Rating (DC)-100 V
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade