onsemi FQAF11N90C
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-12-03
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descrições
Descrições de onsemi FQAF11N90C fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel Power MOSFET, QFET®, 900 V, 7 A, 1.1 Ω, TO-3PF
MOSFET, N-CH, 900V, 7A, 150DEG C, 120W; Available until stocks are exhausted Alternative available
Trans MOSFET N-CH 900V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Rail
Avnet Japan
RAIL/N-CH/900V/11A/A.QFET C_Series
900V N-Channel Advance QFET® C-series
120W(Tc) 30V 5V@ 250µA 80nC@ 10V 1individualNChannel 900V 1.1Ω@ 3.5A,10V 7A 3.29nF@25V TO-3PF Through hole mounting 15.7mm*5.7mm*26.7mm
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -0.07%
Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSC
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Weight6.962 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)7 A
Current Rating11 A
Drain to Source Breakdown Voltage900 V
Drain to Source Resistance1.1 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)900 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time85 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance3.29 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation120 W
Min Breakdown Voltage900 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation120 W
Rds On Max1.1 Ω
Rise Time130 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time130 ns
Turn-On Delay Time60 ns
Voltage Rating (DC)900 V
Dimensions
Height29.9 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade