onsemi FQA38N30
$ 3.783
EOL
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | FQA38N30 | 6.750 | 15h | |||||||||
| Flip Electronics | FQA38N30 | 425 | 2d | |||||||||
| Avnet | FQA38N30 | 0 | 174 | 18h | ||||||||
| Mouser | 512-FQA38N30 | 92 | 1 | Tube | ||||||||
| Microchip USA | FQA38N30 | 433 | 150 | Bulk | 2d |
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -0.03%
Modelos CAD
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0 peça disponível
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 Ultra Librarian | SímboloPegada | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2000-06-12
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 5 days ago)
LTB Date2022-12-30
LTD Date2023-06-30
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 5 days ago)
Peças relacionadas
VishaySUP40N25-60-E3
MOSFET, POWER, N-CH, VDSS 250V, RDS(ON) 0.049OHM, ID 40A, TO-220AB, PD 300W, VGS +/-30V
Descrições
Descrições de onsemi FQA38N30 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel QFET® MOSFET 300 V, 38.4 A, 85 mΩ
N-CHANNEL QFET MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 38.4A I(D), 300V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology.This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency switch mode power supply, power factor correction, electronic lamp ballast based on half bridge.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.401 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)38.4 A
Current Rating38.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage300 V
Drain to Source Resistance85 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)300 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time190 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance4.4 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation290 W
Min Breakdown Voltage300 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation290 W
Rds On Max85 mΩ
Rise Time430 ns
Turn-Off Delay Time170 ns
Turn-On Delay Time80 ns
Voltage Rating (DC)300 V
Dimensions
Height23.8 mm
Length15.8 mm
Width5 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade