onsemi FODM217D
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Tendência de 3 meses: +127%
Modelos CAD
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Peças alternativas
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Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para onsemi FODM217D.
Modelos CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
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 EE Concierge | SímboloPegada | ||
 SnapEDA | 3D | Baixar | |
 Ultra Librarian | SímboloPegada | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginThailand
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.40.80.00
Introduction Date2017-02-10
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descrições
Descrições de onsemi FODM217D fornecidas pelos seus distribuidores.
OPTOISO 3.75KV 1CH TRANS 4SOP / Optoisolator Transistor Output 3750Vrms 1 Channel 4-SOP
Transistor Output Optocoupler, 1-Element, 3750V Isolation
Optocoupler Single Transistor-OUT 3750Vrms 4-Pin SOP Tube
Avnet Japan
Single Channel, DC Sensing Input, Phototransistor Optocoupler In Half-Pitch Mini-Flat 4-Pin Package
The FODM217 Series single channel, DC sensing input, optocoupler consists of one gallium arsenide (GaAs) infrared light emitting diode optically coupled to one phototransistor, in a compact, half-pitch, mini-flat, 4-pin package. The input-output isolation voltage, VISO, is rated at 3,750 VACRMS.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +127%
Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
MountSurface Mount
Weight120 mg
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage80 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Current Transfer Ratio300 %
Dark Current100 nA
Forward Current50 mA
Forward Voltage1.4 V
Isolation Voltage3750 Vrms
Max Junction Temperature (Tj)125 °C
Max Operating Temperature110 °C
Max Power Dissipation150 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation70 mW
Reverse Voltage6 V
Schedule B8541408000
Turn-Off Delay Time3 µs
Turn-On Delay Time3 µs
Dimensions
Height2.39 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade