onsemi FJX1182YTF
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date2000-10-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 week ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)
Peças relacionadas
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
ROHMDTA123YUAT106
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Descrições
Descrições de onsemi FJX1182YTF fornecidas pelos seus distribuidores.
Transistor,bjt,pnp,30V V(Br)Ceo,500Ma I(C),sot-323 Rohs Compliant: Yes
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Trans GP BJT PNP 30V 0.5A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT;
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-323
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight30 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-35 V
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Saturation Voltage-100 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Current Rating-500 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Frequency200 MHz
Gain Bandwidth Product200 MHz
hFE Min120
Max Breakdown Voltage30 V
Max Collector Current500 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation150 mW
Transition Frequency200 MHz
Voltage Rating (DC)-30 V
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade