onsemi FJV4113RMTF
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date2002-08-29
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2020-01-16
LTD Date2020-07-16
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Descrições
Descrições de onsemi FJV4113RMTF fornecidas pelos seus distribuidores.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R
Pre-Biased "digital" Transistor,50V V(Br)Ceo,100Ma I(C),sot-23 Rohs Compliant: Yes
PNP Epitaxial Silicon Transistor with Bias Resistor
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT;
PNP Epitaxial Silicon Transistor Product Highlights: Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=2.2KW, R2=47KW) Complement to FJV3113R
Transistors with built-in resistors can be excellent space- and cost-saving solutions by reducing component count and simplifying circuit design.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight30 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage-300 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Continuous Collector Current-100 mA
Current Rating-100 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-10 V
hFE Min68
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation200 mW
Transition Frequency200 MHz
Voltage Rating (DC)-50 V
Dimensions
Height930 µm
Length2.92 mm
Width1.3 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade