onsemi FJP13009TU
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2005-09-27
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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Descrições
Descrições de onsemi FJP13009TU fornecidas pelos seus distribuidores.
FJP13009 Series 400 V CE Breakdown 12 A NPN Power Transistor - TO-220
1mA 400V 100W 12A 6@8A5V 4MHz 3V@12A3A NPN +150¡Í@(Tj) TO-220 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
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High-Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor
TRANSISTOR, NPN, 12A 400V TO-220; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:400V; Transition Frequency Typ ft:4MHz; Power Dissipation Pd:100W; DC Collector Current:12A; DC Current Gain hFE:8; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Collector Emitter Voltage Vces:3V; Current Ic Continuous a Max:12A; Gain Bandwidth ft Typ:4MHz; Hfe Min:6; Package / Case:TO-220; Power Dissipation Pd:100W; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:Switching
The FJP13009 is a 700 V, 12 A NPN silicon epitaxial planar transistor. The FJP13009 is available with multiple hFE bin classes for ease of design use. The FJP13009 is designed for high speed switching applications which utilizes the industry standard TO-220 package offering flexibility in design and excellent power dissipation.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -29.49%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)700 V
Collector Emitter Breakdown Voltage400 V
Collector Emitter Saturation Voltage1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)400 V
Current Rating12 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)9 V
Frequency4 MHz
Gain Bandwidth Product4 MHz
hFE Min6
Max Collector Current12 A
Max Frequency4 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation100 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation100 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency4 MHz
Voltage Rating (DC)400 V
Dimensions
Height16.51 mm
Length10.67 mm
Width4.83 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade