onsemi FJN3303RTA
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date2002-07-19
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2019-04-18
LTD Date2019-10-18
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 300mW Through Hole TO-92-3
Descrições
Descrições de onsemi FJN3303RTA fornecidas pelos seus distribuidores.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin TO-92 Ammo
NPN Epitaxial Silicon Transistor with Bias Resistor
TRANSISTOR, NPN, 50V, 0.1A, TO-92
Transistors with built-in resistors can be excellent space- and cost-saving solutions by reducing component count and simplifying circuit design.
TRANSISTOR, NPN, 50V, 0.1A, TO-92; Digital Transistor Polarity: Single NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50V; Continuous Collector Current Ic: 100mA; Base Input Resistor R1: 22kohm; Base-Emitter Resistor R2: 22kohm; Re
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-92-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight240 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage300 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Continuous Collector Current100 mA
Current Rating100 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)10 V
hFE Min56
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Box (TB)
PolarityNPN
Power Dissipation300 mW
Transition Frequency250 MHz
Voltage Rating (DC)50 V
Dimensions
Height5.33 mm
Length5.2 mm
Width4.19 mm
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade