onsemi FJB102TM
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2005-09-30
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Peças relacionadas
NXP SemiconductorsBUJ105AB,118
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
Descrições
Descrições de onsemi FJB102TM fornecidas pelos seus distribuidores.
NPN 80 W 100 V 8 A Surface Mount Power Darlington Transistor - D2PAK-3
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
TRANS NPN DARL 100V 8A D2PAK / Trans Darlington NPN 100V 8A 80000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
100V High Voltage Power Darlington Transistor
DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 100V, D2-PAK
onsemi NPN, D2PAK (TO-263), , -100 V
Npn Darl/3A/100V D2Pak Rohs Compliant: Yes
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 8A, 10
D2PAK Darlington Transistors ROHS
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -0.53%
Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.31247 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Saturation Voltage2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Current Rating8 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
hFE Min200
Max Breakdown Voltage100 V
Max Collector Current8 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation80 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation80 W
Schedule B8541290080
Voltage Rating (DC)100 V
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade